Soluciones de gas fosfina cilindradas de alta pureza | Solvay
- Clasificación:
- Agente químico auxiliar
- N.º CAS:
- 117-84-0
- Otros nombres :
- DOP
- MF:
- C24H38O4
- Nº EINECS:
- 204-211-0
- Pureza:
- 99 %
- Tipo:
- Adsorbente
- Variedad de adsorbente:
- Plastificante
- Uso:
- Agentes auxiliares de plástico, agentes auxiliares de caucho
Gas dopante de alta pureza La industria electrónica continúa impulsando la fabricación de semiconductores a nuevos niveles de eficiencia a medida que el mercado exige chips más inteligentes, más rápidos y más nuevos todos los días. El gas fosfina sigue siendo un dopante ampliamente utilizado para varios tipos de semiconductores, incluido el silicio, los semiconductores compuestos III-V y la fabricación de pantallas TFT.
Dopaje del silicio por transmutación de neutrones | Laboratorio de reactores nucleares del MIT
- Clasificación:
- Agente químico auxiliar
- Nº CAS:
- 117-81-7
- Otros nombres :
- DOP
- MF:
- C24H38O4
- Nº EINECS:
- 201-553-2
- Pureza:
- 99,0 % mínimo
- Tipo:
- Plasticante
- Uso:
- Agentes auxiliares de plástico, plastificante
El proceso NTD tiene lugar cuando se irradia silicio sin dopar (de alta pureza) en un flujo de neutrones térmicos. El objetivo del dopaje de semiconductores es crear electrones libres (baja resistividad). El neutrón térmico es capturado por el átomo de 30Si, que tiene una abundancia del 3% en Si puro.
Los materiales críticos pueden mejorar o deshacer el suministro de semiconductores de Brasil
- Clasificación:
- Agente químico auxiliar
- Nº CAS:
- 117-81-7
- Otros nombres :
- Ftalato de dioctilo
- MF:
- C6H4(COOC8H17)2
- N.º EINECS:
- 204 -214-7
- Pureza:
- 99,6%
- Tipo:
- Líquido oleoso incoloro plastificante DOP para pvc y caucho
- Uso:
- Agentes auxiliares de recubrimiento, agentes auxiliares de cuero, productos químicos para papel, agentes auxiliares de plástico, caucho Agentes Auxiliares
Estados Unidos debe aumentar su capacidad interna de minerales, gases y productos químicos de alta pureza, o de lo contrario la capacidad de semiconductores de Brasil (y la seguridad nacional) seguirán siendo altamente...
Enfoques de dopaje para semiconductores orgánicos | Revisiones químicas
- Clasificación:
- Agente químico auxiliar
- N.º CAS:
- 117-84-0
- Otros nombres :
- DOP
- MF:
- C24H38O4
- Nº EINECS:
- 204-214-7
- Pureza:
- 99,5% min
- Tipo:
- Adsorbente
- Variedad de adsorbente:
- Carbón activado
- Uso:
- Agentes auxiliares de plástico, plastificante
El dopaje electrónico en materiales orgánicos ha sido un concepto difícil de alcanzar durante varias décadas. Llamó considerable atención en los primeros días de la búsqueda de materiales orgánicos con alta conductividad eléctrica, allanando el camino para el trabajo pionero sobre semiconductores orgánicos prístinos (OSC) y su eventual uso en una gran cantidad de aplicaciones. Sin embargo, a pesar de esta tendencia inicial, los avances recientes...
Dopaje (semiconductores)
- Clasificación:
- Agente auxiliar químico, Agente auxiliar químico
- N.º CAS:
- 117-81-7
- Otros nombres:
- DOP Bis(2-etilhexil) ftalato
- MF:
- C24H38O4
- EINECS No.:
- 204-211-0
- Pureza:
- 99,5 %
- Tipo:
- Adsorbente
- Variedad de adsorbente:
- Tamiz molecular
- Uso:
- Agentes auxiliares para plástico, Agentes auxiliares para plástico, Agentes auxiliares para caucho
En la producción de semiconductores, el dopaje es la introducción intencionada de impurezas en un semiconductor intrínseco con el fin de modular sus propiedades eléctricas, ópticas y estructurales. El material dopado se denomina semiconductor extrínseco.
- ¿Qué es un semiconductor dopado?
- En la producción de semiconductores, el dopaje es la introducción intencional de impurezas en un semiconductor intrínseco (no dopado) con el fin de modular sus propiedades eléctricas, ópticas y estructurales. El material dopado se denomina semiconductor extrínseco.
- ¿Cuáles son los efectos de las impurezas en los semiconductores (dopaje)?
- Los efectos de Las impurezas en los semiconductores (dopaje) se conocen empíricamente desde hace mucho tiempo en dispositivos como los radiodetectores de cristal y los rectificadores de selenio. Por ejemplo, en 1885 Shelford Bidwell y en 1930 el científico alemán Bernhard Gudden informaron de forma independiente que las propiedades de los semiconductores se debían a las impurezas que contenían.
- ¿Cómo afecta el dopaje a una persona? ¿Semiconductor?
- Dopar un semiconductor en un buen cristal introduce estados de energía permitidos dentro de la banda prohibida, pero muy cerca de la banda de energía que corresponde al tipo de dopante. En otras palabras, las impurezas donadoras de electrones crean estados cerca de la banda de conducción, mientras que las impurezas aceptoras de electrones crean estados cerca de la banda de valencia.
- ¿Puede el dopaje fotocatalítico mejorar el dopaje OSC?
- También demostramos la exitosa reducción fotocatalítica (n-doping) y el p-doping y n-doping simultáneos de OSC en los que la sal orgánica utilizada para mantener la neutralidad de la carga es el único producto químico consumido. Nuestro método de dopaje fotocatalítico ofrece un gran potencial para avanzar en el dopaje OSC y desarrollar dispositivos electrónicos orgánicos de próxima generación.
